| Produkt | Region | Incoterm-Basis | Preis | Letzter Aktualisierungsmonat |
|---|---|---|---|---|
| Siliziumkarbid | China | FOB | 2,90 USD/kg | August 2026 |
| Siliziumkarbid | Indien | CIF | 3,00 USD/kg | August 2026 |
| Siliziumkarbid | USA | CIF | 3,06 USD/kg | August 2026 |
| Siliziumkarbid | Brasilien | CIF | 3,02 USD/kg | August 2026 |
| Siliziumkarbid | Kanada | CIF | 3,07 USD/kg | August 2026 |
| Siliziumkarbid | China | FOB | 2,83 USD/kg | Juli 2026 |
| Siliziumkarbid | Indien | CIF | 2,93 USD/kg | Juli 2026 |
| Siliziumkarbid | USA | CIF | 3,01 USD/kg | Juli 2026 |
| Siliziumkarbid | Brasilien | CIF | 3,00 USD/kg | Juli 2026 |
| Siliziumkarbid | Kanada | CIF | 3,02 USD/kg | Juli 2026 |
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Im Q2 2026 lagen die Siliziumkarbid-Preise in China im April bei ca. 2,11 USD/kg und im Juni bei ca. 3 USD/kg. In Indien lagen die Preise im April bei ca. 2,16 USD/kg und im Juni bei ca. 3 USD/kg. Der Preisanstieg wurde durch höhere Produktionskosten, Angebotssteuerung und eine sich verbessernde Nachfrage aus fortschrittlichen industriellen Anwendungen gestützt. In China verstärkten Bedenken hinsichtlich der Stromkosten zu Beginn des Q2s den Druck auf die SiC-Hersteller, während die geringere Verfügbarkeit von geeignetem Material festere Angebote stützte. Die Nachfrage aus halbleiterbezogenen Anwendungen, darunter Leistungsbauelemente für Elektrofahrzeuge und Energiesysteme, sorgte für zusätzliche Unterstützung. Obwohl die Kosten für Petrolkoks später nachgaben, trugen die Angebotsdisziplin und die Nachfrage nach höherwertigen Produkten dazu bei, die stärkeren Preisbedingungen aufrechtzuerhalten. In den Vereinigten Staaten stiegen die Preise für Siliziumkarbid unterdessen von ca. 2,20 USD/kg im April auf ca. 3 USD/kg im letzten Monat des Q2s 2026. Der Markt profitierte von einer stärkeren industriellen Aktivität und anhaltenden Investitionen in die Produktion von SiC in Halbleiterqualität. Die Rohstahlproduktion in den USA stieg im Mai im Vergleich zum Vorjahr um 15,6 % und stützte damit die Nachfrage nach industriellen Schleifmitteln und feuerfesten Materialien. Das Wachstum in den Bereichen Elektrofahrzeuge, KI-Infrastruktur und Hochspannungsanwendungen stärkte zudem die Nachfrage nach Siliziumkarbid in Halbleiterqualität, wobei neue Produktionskapazitäten die zukünftige Angebotsentwicklung stützen.
Analysteneinschätzung
Laut Procurement Resource dürften die Preise für Siliziumkarbid weiterhin durch hochwertige Halbleiteranwendungen gestützt werden, während die Märkte für Industriequalität möglicherweise weiterhin von der Verfügbarkeit des Angebots und der metallurgischen Nachfrage beeinflusst werden.
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Asien
In Asien entwickelten sich die Preise für Siliziumkarbid im Q1 2026 stabil bis leicht fest. Chinesische Anbieter hielten ihre Angebote bis März weitgehend stabil, was auf ein ausgeglichenes inländisches Angebot und kontrollierte Produktionsniveaus zurückzuführen war. Zu Beginn des Quartals herrschte aufgrund der verlangsamten Aktivität in der Elektrofahrzeugproduktion, die die unmittelbare Nachfrage dämpfte, weiterhin eine vorsichtige Stimmung. Dies wurde jedoch nach und nach durch steigenden Bedarf aus den Bereichen Halbleiter und Leistungselektronik ausgeglichen, insbesondere im Zusammenhang mit dem Ausbau der KI-Infrastruktur. In Indien spiegelte die Marktdynamik die Situation in China wider, mit anhaltender Importabhängigkeit und begrenzter Spot-Volatilität, da die Käufer angesichts der ungewissen Erholung der Nachfrage an konservativen Beschaffungsstrategien festhielten.
Europa
In Europa zeigten die Preise einen stabilen Trend mit einer leichten Aufwärtsdynamik gegen Ende des Quartals. Die Nachfrage aus den Bereichen Elektromobilität und industrielle Leistungsanwendungen blieb strukturell stark, gestützt durch den Fokus der Region auf Energieeffizienz und fortschrittliche Fertigung. Allerdings verhinderten ein zurückhaltendes Kaufverhalten und angemessene Lagerbestände starke Preisanstiege. Die Handelsströme blieben stabil, wobei Europa weiterhin auf Importe aus Asien angewiesen war, während langfristige Verträge Schwankungen am Spotmarkt begrenzten.
Nordamerika
In Nordamerika zeigte der Markt einen ähnlich ausgeglichenen bis festen Trend. Die Region profitierte von einer starken technologischen Nachfrage, insbesondere bei Halbleiterbauelementen und Leistungselektronik, da sich der Einsatz von Siliziumkarbid in hocheffizienten Anwendungen beschleunigte. Während die schwache Nachfrage aus dem EV-Segment zu Beginn des Quartals die Stimmung leicht belastete, stützten steigende Investitionen in fortschrittliche Elektronik und Energiesysteme die Marktstabilität.
Siliziumkarbid ist ein kristallines Material mit außergewöhnlicher Härte, vergleichbar mit der von Diamant, wodurch es sich für Schleif- und Schneidanwendungen eignet. Es ist hochtemperaturbeständig und gegenüber den meisten Säuren und Basen chemisch inert. Zudem verfügt es über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, wodurch es sich für die Wärmeableitung im Elektronikbereich eignet. Daher werden SiC-Halbleiter mit einer breiten Bandlücke in großem Umfang für elektronische Hochleistungsbauelemente eingesetzt. Seine Beständigkeit gegen Oxidation und Korrosion selbst bei hohen Temperaturen macht es noch geeigneter für ein breites Spektrum wissenschaftlicher und industrieller Anwendungen.
SiC
Elektronik und Halbleiter, Solarenergie, Automobil- und Luftfahrtindustrie, Elektronik und Halbleiter, Schleifmittel, Feuerfeste Werkstoffe
Carborundum
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC, Infineon Technologies AG, ROHM Co Ltd, STMicroelectronics N.V., ON SEMICONDUCTOR CORPORATION, WOLFSPEED INC, Mitsubishi Electric Corporation, FUJI ELECTRIC CO LTD
WährungUS-Dollar (Die Angaben können auch in Landeswährung erfolgen)(Die Daten können auch in lokaler Währung bereitgestellt werden)
Verfügbarkeit der LieferantendatenbankJa
Umfang der AnpassungDer Bericht kann an die Anforderungen des Kunden angepasst werden.
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Beim Acheson-Verfahren wird Siliziumdioxid zunächst mit Koks vermischt und anschließend wird die Mischung bei erhöhten Temperaturen erhitzt, um Siliziumkarbid herzustellen.
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