Los precios de las oblea de carburo de silicio (SiC) siguieron una tendencia mixta durante el Q1 2026. En Asia, los precios se mantuvieron bajo presión debido a la expansión de la capacidad de sustratos de SiC de 6 pulgadas en China, lo que aumentó la competencia entre proveedores y limitó las subidas de precios. Sin embargo, los costes de producción se vieron respaldados por el aumento de los gastos de energía y transporte tras la guerra de Irán y las interrupciones en el estrecho de Ormuz. No obstante, la disponibilidad de silicio se mantuvo relativamente holgada, ya que se estimó que las importaciones totales de silicio metálico fueron aproximadamente un 50 % superiores a las del año anterior, lo que redujo en parte la presión sobre las materias primas en las fases iniciales de la cadena de suministro. En Europa y Norteamérica, los precios se mantuvieron más firmes debido al aumento de los costes de fabricación, los gastos de transición a obleas de 200 mm y el riesgo en la cadena de suministro. La demanda en el sector final procedente de los vehículos eléctricos siguió siendo más débil de lo esperado, pero los centros de datos de AI, los módulos de potencia industriales y los sistemas de energía renovable respaldaron el consumo.
Perspectiva de los analistas
Según Procurement Resource, los precios de las oblea de carburo de silicio (SiC) podrían seguir mostrando una evolución dispar a corto plazo. Asia podría enfrentarse a una mayor presión debido al aumento de la capacidad productiva, mientras que Europa y Norteamérica podrían mantenerse firmes debido a los costes energéticos y a la demanda de obleas avanzadas.
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Las oblea de carburo de silicio (SiC) son sustratos semiconductores avanzados que se utilizan para fabricar dispositivos electrónicos de potencia de alto rendimiento. En comparación con las obleas de silicio convencionales, las obleas de SiC ofrecen una mayor conductividad térmica, una tensión de ruptura más elevada, menores pérdidas de conmutación y un funcionamiento superior a altas temperaturas. Estas propiedades las convierten en elementos fundamentales para los vehículos eléctricos, los sistemas de energía renovable, las fuentes de alimentación industriales, la electrónica aeroespacial y las aplicaciones de semiconductores de potencia de próxima generación.
SiC
Wolfspeed, Coherent Corp., SK Siltron CSS, Resonac Holdings, ROHM Co., Ltd.
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Las obleas de carburo de silicio se producen mediante el método de transporte físico de vapor (PVT). El polvo de carburo de silicio de alta pureza se sublima a temperaturas superiores a los 2.000 °C en el interior de un horno de crecimiento de cristales. Las especies vaporizadas se condensan sobre un cristal semilla para formar un lingote monocristalino de SiC. A continuación, el lingote se corta en obleas, tras lo cual se somete a procesos de esmerilado, lapeado, pulido, limpieza y preparación epitaxial para lograr una calidad superficial y una uniformidad cristalográfica propias de los semiconductores.
Las obleas de SiC se utilizan principalmente en la producción de semiconductores de potencia, incluidos los MOSFET, los diodos de barrera de Schottky y los módulos de potencia. Entre las principales industrias de uso final se incluyen los vehículos eléctricos, la infraestructura de recarga de vehículos eléctricos, los inversores solares, los sistemas de energía eólica, la tracción ferroviaria, los accionamientos de motores industriales, la electrónica aeroespacial y los centros de datos. Su capacidad para funcionar a tensiones y temperaturas más elevadas mejora la eficiencia energética, reduce el tamaño del sistema y aumenta la fiabilidad general de los dispositivos.
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