炭化ケイ素（SiC）ウェハ価格はQ1’26においてまちまちな動きを示しました。アジアでは、中国の6インチSiC基板の生産能力が拡大し、サプライヤー間の競争が激化したことで、価格上昇が抑制され、価格には引き続き下落圧力がかかりました。一方、イラン戦争とホルムズ海峡の混乱を受け、エネルギーおよび輸送費が上昇したことで、生産コストは押し上げられました。しかし、シリコンの供給は比較的潤沢な状態が続き、シリコンメタルの総輸入量は前年比で約~50%増加したと推定され、上流の原材料圧力を部分的に緩和しました。欧州と北米では、製造コストの上昇、200-mmウェハへの移行費用、サプライチェーンリスクを背景に、価格はより堅調に推移しました。EVからの川下需要は予想を下回り低調でしたが、AIデータセンター、産業用パワーモジュール、再生可能エネルギーシステムが消費を支えました。
アナリストインサイト
Procurement Resourceによると、炭化ケイ素（SiC）ウェハ価格は短期的にまちまちな動きを続ける可能性があります。アジアでは生産能力の追加によりさらなる価格下落圧力がかかる可能性がある一方、欧州と北米ではエネルギーコストと先進ウェハへの需要により、価格は堅調に推移する可能性があります。
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炭化ケイ素（SiC）ウェハは、高性能パワーエレクトロニクスデバイスの製造に使用される先進的な半導体基板です。 従来のシリコンウェハーと比較して、SiCウェハーは、より高い熱伝導率、より高い絶縁破壊電圧、より低いスイッチング損失、および高温環境下での優れた動作特性を備えています。これらの特性により、SiCウェハーは、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業用電源、航空宇宙用電子機器、および次世代パワー半導体アプリケーションにおいて不可欠な存在となっています。
SiC
Wolfspeed、Coherent Corp.、SK Siltron CSS、Resonac Holdings、ROHM株式会社
SiC Wafer, Silicon Carbide Substrate, Silicon Carbide Semiconductor Wafer, SiC Substrate Wafer
通貨US$（現地通貨での表示も可能です)
サプライヤー・データベースの利用状況はい
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炭化ケイ素（SiC）ウェハは、物理気相輸送法（PVT）を用いて製造されます。高純度の炭化ケイ素粉末は、結晶成長炉内で2,000°Cを超える温度で昇華されます。気化した物質は種結晶上に凝縮し、単結晶のSiCブールが形成されます。 その後、このブールはウェーハにスライスされ、研削、ラッピング、研磨、洗浄、エピタキシャル処理を経て、半導体グレードの表面品質と結晶学的均一性が確保されます。
SiCウェハーは、主にMOSFET、ショットキーバリアダイオード、パワーモジュールなどのパワー半導体の製造に使用されます。 主な最終用途産業には、電気自動車、EV充電インフラ、太陽光発電用インバータ、風力発電システム、鉄道牽引、産業用モーター駆動装置、航空宇宙用電子機器、データセンターなどが含まれます。SiCは、より高い電圧および温度での動作が可能であるため、エネルギー効率の向上、システムサイズの小型化、およびデバイス全体の信頼性向上に貢献します。
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